Fechar

1. Identificação
Tipo de ReferênciaArtigo em Revista Científica (Journal Article)
Sitemtc-m16.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador6qtX3pFwXQZ3r59YDa/FEgmH
Repositóriosid.inpe.br/iris@1916/2005/04.04.13.45   (acesso restrito)
Última Atualização2013:04.15.13.03.04 (UTC) marciana
Repositório de Metadadossid.inpe.br/iris@1916/2005/04.04.13.45.37
Última Atualização dos Metadados2018:06.05.01.28.20 (UTC) administrator
Chave SecundáriaINPE-12289-PRE/7610
ISSN1092-5783
Chave de CitaçãoFernandezCASLTAFSL:2000:ElPrCu
TítuloElectrical properties of cubic InN and GaN epitaxial layers as a function of temperature
Ano2000
Data de Acesso18 maio 2024
Tipo SecundárioPRE PI {} {} {PRE PI}
Número de Arquivos2
Tamanho138 KiB
2. Contextualização
Autor 1 Fernandez, J. R. L.
 2 Chitta, V. A.
 3 Abramof, Eduardo
 4 Silva, Antonio Ferreira da
 5 Leite, J. R.
 6 Tabata, A.
 7 As, D. J.
 8 Frey, T.
 9 Schikora, D.
10 Lischka, K.
Identificador de Curriculo 1
 2
 3 8JMKD3MGP5W/3C9JGUH
 4 8JMKD3MGP5W/3C9JGJC
Grupo 1
 2
 3 LAS-INPE-MCT-BR
 4 LAS-INPE-MCT-BR
Afiliação 1 Instituto de Física da USP, C.P. 66318, 05315-970 São Paulo, SP, Brazil
 2 Universidade São Francisco, Centro de Ciências Exatas e Tecnológicas
 3 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
 4 Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
 5 Instituto de Física da USP
 6 Instituto de Física da USP
 7 Universität Paderborn, FB-6 Physik, Warburger Strasse 100, D-33095 Paderborn
RevistaMRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
Volume595
PáginasW3-40
Histórico (UTC)2005-04-04 17:47:13 :: sergio -> administrator ::
2007-04-03 21:34:19 :: administrator -> sergio ::
2008-01-07 12:52:40 :: sergio -> administrator ::
2013-03-12 12:35:15 :: administrator -> marciana :: 2000
2013-05-31 19:11:04 :: marciana -> administrator :: 2000
2018-06-05 01:28:20 :: administrator -> marciana :: 2000
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Tipo do ConteúdoExternal Contribution
Tipo de Versãopublisher
ResumoCarrier concentration and mobility were measured for intrinsic cubic InN and GaN, and for Si-doped cubic GaN as a function of temperature. Metallic n-type conductivity was found for the InN, while background p-type conductivity was observed for the intrinsic GaN layer. Doping the cubic GaN with Si two regimes were observed. For low Si-doping concentrations, the samples remain p-type. Increasing the Si-doping level, the background acceptors are compensated and the samples became highly degenerated n-type. From the carrier concentration dependence on temperature, the activation energy of the donor and acceptor levels was determined. Attempts were made to determine the scattering mechanisms responsible for the behavior of the mobility as a function of temperature.
ÁreaFISMAT
Arranjourlib.net > BDMCI > Fonds > Produção anterior à 2021 > LABAS > Electrical properties of...
Conteúdo da Pasta docacessar
Conteúdo da Pasta sourcenão têm arquivos
Conteúdo da Pasta agreementnão têm arquivos
4. Condições de acesso e uso
Idiomaen
Arquivo Alvomrs.pdf
Grupo de Usuáriosadministrator
marciana
sergio
Grupo de Leitoresadministrator
marciana
Visibilidadeshown
Detentor da CópiaSID/SCD
Política de Arquivamentodenypublisher denyfinaldraft
Permissão de Leituradeny from all and allow from 150.163
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/3ESR3H2
Lista de Itens Citandosid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.44.57 1
sid.inpe.br/mtc-m21/2012/07.13.14.40.22 1
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/banon/2003/08.15.17.40
6. Notas
Campos Vaziosalternatejournal archivist callnumber copyright creatorhistory descriptionlevel dissemination doi e-mailaddress electronicmailaddress format isbn keywords label lineage mark mirrorrepository month nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress project rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype typeofwork url
7. Controle da descrição
e-Mail (login)marciana
atualizar 


Fechar